当地时间7月9日，全球存储芯片三巨头之一的美光科技宣布专业的股票配资，将大幅加码美国本土制造投资，计划到2035年将在美国的晶圆厂及技术投资总额提升至超过2500亿美元，较此前承诺的2000亿美元新增约500亿美元。
受此消息影响，美光科技股价在周四美股盘初一度大涨超9%，盘中最高触及1034美元，尾盘涨幅有所收窄，最终收涨4.52%，报991.64美元，总市值达1.12万亿美元。
从今年4月14日的465.66美元起步，到7月9日收盘的991.64美元，短短三个月，美光科技股价累计上涨约113%，市值翻倍，成为本轮AI行情中表现最亮眼的半导体标的之一。
根据公司披露，此次超2500亿美元的投资将分布于纽约州、爱达荷州、弗吉尼亚州等多个项目，涵盖新建晶圆厂、扩建现有产能以及先进技术研发。美光科技表示，追加投资的目标之一，是实现将约40%的DRAM产量放在美国本土生产的长期规划，进一步强化本土供应链的自主可控能力。
值得注意的是，就在宣布投资计划的同一天，美光科技位于纽约州克莱镇的新工厂完成了首次混凝土浇筑，比原定计划提前了一个季度，项目推进速度快于市场预期。此外，公司还宣布斥资约30亿美元强化半导体上游材料环节，并有意与关键客户签订长达10年的晶圆供应长约，将扩张重心从单纯的 \"烧钱建厂\" 逐步转向 \"锁定原料\" 与 \"锁定订单\"。
激进投资计划背后是美光科技刚刚交出的史上最强季报。6月24日盘后，美光科技发布2026财年第三季度财报，营收高达414.6亿美元，同比暴涨346%，环比增长74%，创下公司历史最高单季营收纪录，且超出华尔街此前约356亿美元的预期近58亿美元。盈利端，Non-GAAP净利润飙升至288.6亿美元，同比暴涨约1224%，接近去年同期的13倍。本季度美光科技毛利率攀升至84.9%，创下公司自1978年成立以来的历史最高水平，较2025财年同期的39%提升45.9个百分点，不仅远超行业平均水平，更首次超越英伟达同期73.6%的毛利率。财报公布后，美光科技股价单日大涨超过15%。
目前，在AI算力革命驱动下存储行业出现了结构性供需失衡，其中高带宽内存HBM是最大的增长引擎。机构预测今年AI相关DRAM需求占比将突破53%，而供给端三星、SK海力士、美光科技等巨头将先进产能优先投向高附加值的HBM存储产品，压缩了通用存储产能投放，供需缺口持续扩大。三星电子、SK海力士与美光科技是全球最大的三家DRAM原厂，合计市场份额超过九成。正式在此背景下，美光科技定下了将DRAM本土产能占比提升至40%的目标。
此前，高盛已将美光科技12个月目标股价从400美元大幅上调至900美元，同时维持对该股的“中性”评级。并同步将美光科技2026年和2027年的营收预期与非GAAP每股收益预期分别平均上调28%和36%，以反映更强劲的行业定价趋势及需求增长潜力。
值得注意的是，在美光科技宣布最新投资计划前，韩国已率先打响本土存储产能扩张的 \"第一枪\"。6月29日，韩国政府联合三星、SK 集团共同公布了总计4755万亿韩元的国内投资计划，围绕半导体、物理AI、AI数据中心三大核心超级项目全面铺开，其中三星承诺投资2655万亿韩元，SK集团投入约2100万亿韩元。半导体是本轮投资的绝对重心，韩国计划在西南部光州、全罗区域投资约800万亿韩元（约合5180亿美元）新建四座存储芯片晶圆制造厂，由三星电子和SK海力士各承建两座，力争五年内实现韩国国内DRAM产能翻倍。
不过，有分析人士指出，若本轮各大厂商集中扩产的产能在未来几年集中释放，而需求增速无法同步跟上，行业可能重新进入下行周期。此外，先进制程的技术竞争、HBM市场份额的争夺以及国际贸易政策的变化，也将持续影响存储厂商的长期盈利能力。
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